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PHI X-tool

一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片
只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面,被质量分析器探测出来
对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%
产品详情应用实例技术参数

Excitation Process激发过程

离子产生和表面灵敏度


  • 一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片 
  • 只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面,被质量分析器探测出来
  • 对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%
  • 对于有机材料,原子和分子离子碎片百分含量可以从 .001% 到 1%
  • 只从表面2个分子层激发出的粒子可以以离子态离开表面



TOF-SIMS 主要功能


  • 采集离子质谱图用于表面元素(原子离子),同位素,分子化学结构(通过分子离子碎片)的表征
  • 点或面扫描(2D成像)得到成分分布像,观察不同成分在同一条线或面的分布情况
  • 深度剖析和3D成像可以分析不同的膜层结构和成分深度分布信息:多层膜层结构表征,成分掺杂深度,扩散,吸附等表征
TOF-SIMS 主要信息
  • 所有元素探测– H, He, Li, etc. (H~U)
  • 同位素的探测 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.
  • 详细的分子信息 – 有机和无机
  • 分子成像 
  • 平行探测–图像中每一像素点都有对应的全质谱
  • 表面灵敏 – 样品表面 1-3 个原子 /分子层
  • 痕量分析灵敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子浓度
  • 快速数据采集 – 通常 1 – 15 分钟 (表面 IMS)
  • 高空间分辨率
  • < 70 nm (成像模式下)
  • < 0.5 µm  (保持较好质量分辨率下)
  •  表面物理形貌信息 
  •  离子击发出的 SEI (二次电子像) < 60 nm
  •  大的立体接收角 ~ 180o
  • 可分析所有材料 – 导体,半导体和绝缘材料

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